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首页  >  产品分类  >  分立器件  >  功率模块  >  IGBT模块
品号 封装 集电极
发射极电压
VCES min.
集电极电流IC @
TC=80℃
饱和压降
VCE(sat)typ.
最大耗散功率
PD max
关断能量损耗典型值
Eoff typ.
Tj=125℃
最大结-壳热阻
Rth(j-c)
max.(℃/W)
(V) (A) (V) (W) (mJ)
MG100HF12C1 C1 1200 100 1.8 690 10.8 0.13
MG75HF12C1 C1 1200 75 1.8 630 7.8 0.15
2 30 1/1           
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